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8486202100 制造半導體器件或集成電路用化學氣相沉積裝置(化學氣相沉積裝置(CVD))

商品編碼 8486202100 
商品名稱 制造半導體器件或集成電路用化學氣相沉積裝置(化學氣相沉積裝置(CVD))
申報要素 0:品牌類型;1:出口享惠情況;2:用途;3:功能;4:品牌;5:型號;6:GTIN;7:CAS;
法定第一單位 臺 法定第二單位 無
最惠國進口稅率 0% 普通進口稅率 30% 暫定進口稅率 -
消費稅率 - 增值稅率 16%
出口關稅率 0% 出口退稅率 16%
海關監管條件 無 檢驗檢疫類別 無
商品描述 1.金屬有機物化學氣相淀積設備；2.用于制造外延片；3.由壓力控制，溫度控制，反應室等子系統通過計算機軟件連接組成，可按照設計需求獨立設定氣流，壓力，溫度等工藝參數值，制備滿足設計需求的外延片；4.無品牌；5.無型號
英文名稱 Chemical Vapour Deposition(CVD)equipment for the manufacture of semiconductor devices or of electronic integrated circuis
所屬分類及章節
類目 第十六類 機器、機械器具、電氣設備及其零件；錄音機及放聲機、電視圖像、聲音的錄制和重放設備及其零件、附件（84~85章）
章節 第八十四章 核反應堆、鍋爐、機器、機械器具及其零件
申報實例匯總
商品編碼商品名稱
8486202100預鍍膜機(舊)
8486202100鍍膜機
8486202100鎢膜化學氣相沉積設備
8486202100金屬有機物化學氣相淀積設備
8486202100金屬有機物化學氣相沉積設備
8486202100金屬有機物化學氣相沉積系統
8486202100金屬有機物化學氣相沉積臺
8486202100金屬有機物化學氣相沉淀爐
8486202100金屬有機源氣相沉積設備
8486202100金屬有機化合物氣相淀積法設備/成套散件
8486202100金屬有機化合物氣相淀積法設備
8486202100酸化膜成長裝置
8486202100連續式電子束蒸發系統
8486202100背封爐（舊）
8486202100等離子沉積設備(舊)
8486202100等離子增強型化學氣相沉積臺（舊）
8486202100等離子增強化學氣象沉積系統（見清單）
8486202100等離子增強化學氣相沉積裝置
8486202100等離子增強化學氣相沉積系統
8486202100等離子增強化學氣相沉積硅鍍膜系統主機
8486202100等離子增強化學氣相沉積硅鍍膜系統
8486202100等離子化學氣相沉積裝置
8486202100等離子加強型化學氣體淀積裝置
8486202100等離子體增強化學氣相沉積裝置
8486202100等離子體CVD納米材料生長系統
8486202100立式擴散爐(舊)01年產,已用17年,還可用8年
8486202100磁性薄膜聯合生長系統
8486202100電漿輔助化學氣相沉積系統
8486202100電漿輔助化學氣相沉積儀(舊)
8486202100電漿輔助化學氣相沉積(舊)
8486202100水平化學氣相沉積裝置(舊）
8486202100氣體混合柜成套散件/RESI
8486202100材料沉積系統(實驗室用)
8486202100有機金屬化學氣相沉積爐
8486202100舊鎢化學氣相沉積裝置
8486202100舊化學氣相沉積裝置,原價JPY4000000/臺
8486202100舊低壓化學氣相沉積裝置,原價JPY4000000/臺
8486202100微波輔助化學氣相沉積系統
8486202100射頻等離子增強化學氣相沉積系統
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)97#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)94#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)92#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)86#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)83#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)82#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)77#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)76#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)4033#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)4032#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)4030#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)4028#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)4027#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)4026#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)4024#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)4023#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)4022#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)4021#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)4020#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)4019#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)4018#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)4016#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)4015#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)4014#
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8486202100射頻發生器(CVD裝置用)4012#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)4011#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)4010#
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8486202100射頻發生器(CVD裝置用)4005#
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8486202100射頻發生器(CVD裝置用)361#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)357#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)355#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)354#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)352#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)350#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)347#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)345#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)343#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)342#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)341#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)340#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)339#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)338#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)337#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)336#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)335#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)334#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)332#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)331#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)330#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)329#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)328#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)327#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)326#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)325#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)324#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)322#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)321#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)319#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)317#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)316#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)315#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)314#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)313#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)312#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)311#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)310#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)309#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)305#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)303#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)120#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)118#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)116#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)115#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)114#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)113#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)109#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)108#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)107#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)105#
8486202100射頻發生器(CVD裝置用)104#
8486202100太陽能電池鍍膜裝置(舊)
8486202100太陽能減反射膜制造設備
8486202100外延爐
8486202100垂直化學氣相沉積裝置(舊)
8486202100團簇式多腔體等離子增強化學氣相沉積系統
8486202100原子層沉積系統
8486202100卷對卷化學氣相沉積裝置R2R CHEMICAL VAPOR
8486202100臥式低壓化學氣相沉積爐管系統;制造器件沉積薄膜;低壓化學氣相沉積;SVCS
8486202100化學氣象沉積裝置
8486202100化學氣相淀積設備（舊）
8486202100化學氣相淀積設備(舊)98年產,已用20年,還可用6年
8486202100化學氣相淀積設備(舊)00年產，已使用18年，還可用7年
8486202100化學氣相淀積設備(舊)00年產,已用18年,還可用7年
8486202100化學氣相沉積設備（舊）
8486202100化學氣相沉積設備/WJ牌
8486202100化學氣相沉積設備/NOVELLUS/在
8486202100化學氣相沉積設備(舊)
8486202100化學氣相沉積設備
8486202100化學氣相沉積裝置（舊）
8486202100化學氣相沉積裝置
8486202100化學氣相沉積系統(舊)
8486202100化學氣相沉積爐(舊)
8486202100化學氣相沉積爐
8486202100化學氣相沉淀機（舊）
8486202100制造半導體器件或集成電路用化學氣相沉積裝置
8486202100減反射膜制造設備(新格拉斯牌)
8486202100減反射膜制造設備
8486202100低壓化學氣相沉積裝置(舊)01年產,已用17年,還可用8年
8486202100低壓化學氣相沉積氧化鋅鍍膜系統
8486202100TCO化學氣相沉積系統
8486202100PECVD設備(舊)
8486202100PECVD硅片鍍膜機(舊)
8486202100PECVD沉積設備(等離子增強化學氣相沉積系統)
8486202100PECVD化學氣相沉積設備
8486202100PECVD減反射膜制造設備
8486202100PECVD 減反射膜制造設備
8486202100IC淀積爐
8486202100CVD
8486202100C-1淀積爐
8486202100(舊)常壓化學氣相沉積設備
上一條：制造半導體器件或集成電路用物理氣相沉積裝置(物理氣相沉積裝置(PVD)) 下一條：出口的定制型軟件（不包括與產品固化或集成為一體的軟件）
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